1、概述
主机和 DTS-1000 连接，用来测试大电流领域的半导体晶体管、FET 以及可控硅的各个项目， 最大测试电流可达 200A。
2、连接模式
3、规格
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电压/电流
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IC : 00.0～200A
IB : 0.00m～50.0A
VCE : 0.00～30.0V
VGS : 0.00～30.0V
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测试器件
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二极管、、晶体管、MOS-FET、接合型 FET
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通道数
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最大2个站
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继电器启动时间
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开启时间 35ms
关断时间 20ms
但是大电流项目测试时，不要去做
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外型尺寸
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DHC-1000 500(宽)×670(深度)×250(高 度)mm CHD-1000 175(宽)×355(深度)×200(高 度)mm
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电源电压
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AC110V 和 AC220V 互相切换 50Hz／60Hz
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消耗功率
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500VA
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使用条件： 温度：25℃±5℃ 湿度：60%以下
4、测试项目表（精度和范围）
● 晶体管
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Test Item
系统项目
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Item Name
项目名称
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Measurement Range& Accuracy
测量范围和准确度
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Forcing Range& Accuracy
施加范围和精度
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Forward
Voltage
正向电压
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HVFBE
HVFEC
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000.0m ～ 30.00V ±(1％＋2digit)
000.0m ～ 30.00V ±(1％＋2digit)
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IB: 0.00m ～ 50.0A ±(1％＋2digit)
IC: 00.0 ～ 200 A ±(1％＋2digit)
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Saturation
Voltage
饱和压降
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HVCESAT
HVBESAT
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000.0m ～ 30.00V ±(1％＋2digit)
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IC: 00.0 ～ 200 A ±(1％＋2digit)
IB: 0.00m ～ 50.0A ±(1％＋2digit)
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Base
Turn on
基准电压
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HBTON
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000.0m ～ 30.00V ±(1％＋2digit)
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VCE: 0.00 ～ 30.0V ±(1％＋2digit)
IC: 00.0 ～ 200 A ±(1％＋2digit)
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DC Gain
DC 增益
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HIB
HHFE *1
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0.00m ～ 50.0A ±(1％＋2digit)
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VCE: 0.00 ～ 30.0V ±(1％＋2digit)
IC: 00.0 ～ 200 A ±(1％＋2digit)
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１：用HFE=IC/IB来算出结果。
● FET
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Test Item
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Item Name
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Measurement Range& Accuracy
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Forcing Range& Accuracy
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Forward
Voltage
正向电压
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HVFGS
HVFSD
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000.0m ～ 30.00V ±(1％＋2digit)
000.0m ～ 30.00V ±(1％＋2digit)
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IG: 0.00m ～ 50.0A ±(1％＋2digit)
ID: 00.0 ～ 200 A ±(1％＋2digit)
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Pinch-off
Voltage
压力电压
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HVP
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000.0m ～ 30.00V ±(1％＋2digit)
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VDS: 0.00 ～ 30.0V ±(1％＋2digit)
ID: 00.0 ～ 200 A ±(1％＋2digit)
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Drain-Source
Voltage
耗散电压
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HVDSON
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000.0m ～ 30.00V ±(1％＋2digit)
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IC: 00.0 ～ 200 A ±(1％＋2digit)
VGS: 0.00 ～ 30.0V ±(1％＋2digit)
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On
Resistance
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HRDON
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0.000 ～ 999.9kR
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Drain Current
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HHIDSS
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00.00 ～ 200.0A ±(1％＋2digit)
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VDS: 0.00 ～ 30.0V ±(1％＋2digit)
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HIDON
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00.00 ～ 200.0A ±(1％＋2digit)
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VDS: 0.00 ～ 30.0V ±(1％＋2digit)
VGS: 0.00 ～ 30.0V ±(1％＋2digit)
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YFS
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HdVGS
HGMP *2
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000.0m ～ 999.9mV ±(2％＋2digit)
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VDS: 0.00 ～ 30.0V ±(1％＋2digit)
ID: 00.0 ～ 200 A ±(1％＋2digit)
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2:用 HGMP=0.1*ID/HdVGS 通过此方程算出结果。
● SCR
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Test Item
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Item Name
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Measurement Range& Accuracy
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Forcing Range & Accuracy
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Forward
Voltage
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HVGFM
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000.0m ～ 30.00V ±(1％＋2digit)
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IG: 0.00m ～ 50.0A ±(1％＋2digit)
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On Voltage
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HVTM
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000.0m ～ 30.00V ±(1％＋2digit)
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IT: 00.0 ～ 200 A ±(1％＋2digit)
IG: 0.00m ～ 50.0A ±(1％＋2digit)
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