产品描述
1、总结概要
测量晶体管的热阻特性（θjc）作为 PN 结的温度变化（ΔmV），并将其与规定值 进行比较，并在前面板显示 VF1 和ΔVF 的同时进行分类。 此外，该测试仪还包括接触检查功能和振荡检测功能，以防止测试端子之间的接触 失败以及在测量过程中由于振荡而导致错误的测量。 因此，这些功能提供了高度可 靠的测试系统。
TR-2020 设计用于手动测试和自动测试，使用处理器来评估各种器件，例如小信号 到大功率 PNP，NPN 晶体管（包括达林顿），N-MOS FET，P-MOS FET 和 IGBT。 除了热阻应用（例如评估管芯附接）外，测试仪还可用于获取确定 SOA（安全工作区）的数据。
2、特点
● 同时显示 VBE1（VSDl）和ΔVBE（ΔVSD）
● 特殊的接触检查功能可防止因接触不良而导致测量错误和误装
● 振荡检测功能可防止因振荡而导致测量错误和误分类
● 可以设置 MOS-FET 的 GATE LIMIT 电压，内置的器件保护电路可以防止因过热而损坏
● 可以通过 RS-232C I / F 对测试仪进行外部控制
● 可以将测试仪连接到自动分类器（处理机）
● TR-2020 可以安装在 19 英寸（宽）的机架中
● 该系统具有 2 个工作站（2 个切换功能）
3、规格书
测量范围
l）极性 NPN / PNP，N-MOS FET / P-MOS FET，N-DIODE / P-DIODE N-IGBT（GE）/ P-IGBT（GE），N-IGBT（CE）/ P-IGBT（CE），SCRⅠ/SCRⅢ
2）测试前接触检查，端子间开路/短路检查
3）测量范围 VBE1 / VSD1 / VCE1 / VF1 0000.0mV〜3200.0mV
ΔVBE/ΔVSD/ΔVCE/ΔVF/ΔVT 000.0mV〜999.9mV（精度：±2％或 0.3mV 的较大值）
VGE1 0000mV〜9999mV
ΔVGE0000mV〜l999mV（精度：±2％或 3mV 的较大值）
4）测量时间 PT TIME + 20ms（设定值变化：强制时间（PT）+ 70ms）（每 1 个站）Setting range
4、测试范围和精度
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